II-VI Halbleiter-Dünnschichten

Zusammenarbeit mit dem SFB 410 II-VI Halbleiter des Physikalischen Instituts, Universität Würzburg

Ziel des Sonderforschungsbereichs 410 war es, mit Hilfe moderner Methoden der Schichtherstellung und Nanostrukturierung qualitativ sehr hochwertige Epitaxie-Proben herzustellen, gegebenenfalls zu strukturieren, mit einer möglichst großen Palette komplementärer Messmethoden zu untersuchen und mit Hilfe theoretischer Modelle bzw. Ad-hoc-Rechnungen im Detail zu verstehen. In diesem Zusammenhang wurden über einen größeren Zeitraum hinweg Proben der Dünnschicht-Experimente mit einer Elektronenstrahl-Mikrosonde hinsichtlich ihrer chemischen Zusammensetzung untersucht.

Ergebnisse in:

  • LITZ, M.T., WATANABE, K., KORN, M., RESS, H., LUNZ, U., OSSAU, W., WAAG, A., LANDWEHR, G., SCHÜSSLER, U., WALTER, T., NEUBAUER, B., GERTHSEN, D. (1996): Molecular beam epitaxy of selenides and tellurides on (100) InAs. - Cryst. Res. Technol., 31: 289-292.
  • LITZ, M.T., WATANABE, K., KORN, M., RESS, H., LUNZ, U., OSSAU, W., WAAG, A., LANDWEHR, G., WALTER, T., NEUBAUER, B., GERTHSEN, D., SCHÜSSLER, U. (1996): Epitaxy of Zn1-xMgxSeyTe1-y on (100) InAs. - Journal of Crystal Growth, 159: 54-57.
  • LUNZ, U., KUHN, J., GOSCHENHOFER, F., SCHÜSSLER, U., EINFELDT, S., BECKER, R.C., LANDWEHR, G. (1996): Temperature dependence of the energy gap of zinc-blende CdSe and Cd1-xZnxSe epitaxial layers. - Journal Applied Physics, 80: 6861-6863.
  • WATANABE, K., LITZ, T.M., KORN, M., OSSAU, W., WAAG, A., LANDWEHR, G., SCHÜSSLER, U. (1997): Optical properties of  ZnTe/Zn1-xMgxSeyTe1-y quantum wells and epilayers grown by molecular beam epitaxy. - Journal Applied Physics, 81: 451-455.
  • LUNZ, U., SCHUMACHER, C., NÜRNBERGER, J., SCHÜLL, K., GERHARD, A., SCHÜSSLER, U., JOBST, B., FASCHINGER, W., LANDWEHR, G. (1997): The energy gap Eg of Zn1-xMgxSySe1-y epitaxial layers as a function of composition and temperature. - Semicond. Sci. Technol., 12: 970-973.